研發(fā)碳化硅表面改性技術(shù)，降低碳化硅微粉破碎應(yīng)力，改進(jìn)雷蒙磨粉磨工藝，保證碳化硅高純度條件下，實(shí)現(xiàn)不同球形度碳化硅微粉的制備；改進(jìn)氣流分級(jí)工藝，獲得粒度為4.5-3.0μm的碳化硅顆粒，通過(guò)磁選、酸洗等工藝優(yōu)化，使SiC 含量超過(guò)99.1%，游離碳、三氧化二鐵含量均小于0.1%，球形度小于0.867，掌握高性能低球形度碳化硅微粉制備關(guān)鍵技術(shù)。