SIT MOSFET高頻感應(yīng)加熱設(shè)備采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),工作頻率范圍為50-300kHz,額定功率30-200kW,冷卻方式為水冷。這種設(shè)備利用高頻電磁感應(yīng)原理,通過(guò)在金屬工件中產(chǎn)生渦流實(shí)現(xiàn)快速加熱,具有加熱速度快、效率高、能耗低的特點(diǎn)。
高頻等離子感應(yīng)加熱設(shè)備是一種利用真空管式高頻振蕩器在輸出工作線圈上產(chǎn)生較強(qiáng)的高頻、高壓電磁場(chǎng)的設(shè)備。這種設(shè)備使定向流經(jīng)工作線圈內(nèi)的氬氣、氧氣、氮?dú)狻嚎s空氣迅速電離點(diǎn)燃后形成高溫等離子火炬,亦稱射頻等離子炬,其核心溫度可達(dá)20000℃。在冶金領(lǐng)域,高頻等離子設(shè)備廣泛應(yīng)用于耐高溫石英玻璃沉積、制備難熔金屬納米粉體,氧化物、氮化物、碳化物等納米粉體及上述粉末的球化處理,同時(shí)也應(yīng)用于多晶硅的區(qū)熔、拉伸等工藝。設(shè)備功率范圍從8KW到200KW,頻率則在1MHZ到6MHZ之間。
水冷銅坩堝熔鑄設(shè)備是一種高功率冶金設(shè)備,專為鈦鋁金屬間化合物的真空熔化和鑄造設(shè)計(jì)。該設(shè)備配備300KW的IGBT電源,利用先進(jìn)的真空自耗及凝殼熔煉技術(shù),能夠制備出大尺寸、無(wú)缺陷、無(wú)裂痕的鈦鋁基金屬間化合物,且冷卻速度可控。通過(guò)鑄錠電磁冷坩堝結(jié)晶器的使用,該設(shè)備能夠調(diào)控鑄錠的冷卻速度,從而獲得成分均勻、無(wú)明顯裂紋和晶粒細(xì)小的優(yōu)質(zhì)鈦鋁金屬間化合物基合金方形鑄錠,顯著提升材料的性能。
IGBT電源是一種高性能的感應(yīng)加熱設(shè)備,廣泛應(yīng)用于冶金及熱處理領(lǐng)域。其工作頻率范圍為10-50kHz(超音頻)和1-10kHz(中頻),額定功率30-300kW,采用水冷方式確保高效穩(wěn)定運(yùn)行。該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)較深層淬火、釬焊、透熱等工藝,適用于各類金屬工件的熱處理及熔煉,為冶金加工提供高效、節(jié)能、精準(zhǔn)的加熱解決方案。
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