馬弗爐 338     

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質(zhì)量上乘，性能優(yōu)異，每年都獲得數(shù)千萬新老客戶的一致好評。功能卓越與設(shè)計美觀，加上超值性價比，使我們高溫電爐是客戶的最終選擇，溫度和尺寸均可定制。電爐免費保修一年，終身維護(hù)，24小時售后服務(wù)。

有色金屬生產(chǎn)線 322     

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該設(shè)備主要用于鋁錠、銅錠等有色金屬的自動鑄造，每小時可達(dá)到10噸。主要結(jié)構(gòu)包括：U型鋼槽鋼焊接鋼體、輸送機(jī)、調(diào)速電機(jī)、減速機(jī)、大小鏈輪鏈條、配電系統(tǒng)。

梯形鋁錠在線提溫加熱爐 321     

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該套設(shè)備用于梯形鋁錠在線提溫用，設(shè)備額定功率在300kw—500kw，額定頻率200—300HZ，在線提溫60-250℃，對于截面2350-3000平方毫米鋁錠每小時產(chǎn)量5.5T以上，由于設(shè)備自動調(diào)整輸出功率，設(shè)備噸耗電量控制在50kW.h/t以內(nèi);設(shè)備底部設(shè)計有直線導(dǎo)軌，可橫向移動1.5米，以方便在不需要鋁錠加熱時將設(shè)備移開。

感應(yīng)熔銅爐 318     

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產(chǎn)品特點：1、溫度可控，升溫速度快;2、可選擇使用石墨坩堝或做爐襯;3、容量范圍0.1T-10T;4.可根據(jù)客戶要求增加熔煉控制系統(tǒng)，精確控制熔煉過程。

感應(yīng)熔鋁爐 324     

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應(yīng)用：熔煉鋁合金的熔鋁爐;原材料包括鋁錠、廢鋁鑄件、廢鋁門窗、廢電線、廢罐等?？膳鋫渥詣踊X錠生產(chǎn)線進(jìn)行自動化鑄造。配置：熔體、控制柜、(減速機(jī)、控制箱)

渦電流分選銅鋁有色金屬機(jī)器 316     

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升川渦電流分選機(jī)主要用于從工業(yè)垃圾、生活垃圾廢料中回收銅、鋁等有色金屬，可廣泛應(yīng)用于垃圾處理、廢舊電器回收等環(huán)保領(lǐng)域以及有色金屬加工行業(yè)的物料處理等行業(yè)。對多種非鐵金屬分選效果優(yōu)良，適應(yīng)性強，機(jī)械結(jié)構(gòu)可靠;具有斥力強(可調(diào)節(jié))、分選效率高等特點。 有色金屬分選機(jī)由分選機(jī)主體和控制柜兩部分組成;主體部分主要包括選總成、驅(qū)動電機(jī)、機(jī)架及罩體等部分構(gòu)成。分選總成為設(shè)備核心部件，由旋轉(zhuǎn)滾筒、物料 輸送系統(tǒng)(包括物料輸送帶、輸送帶驅(qū)動滾筒及減速電機(jī))組成。

廢銅線分離機(jī) 322     

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環(huán)保銅米機(jī)是處理廢電線的設(shè)備，對各種電線電纜，家用電器線，通訊線，電腦線等剝線機(jī)不宜加工的廢線，大小線不用分類就可以同時破碎，實現(xiàn)各種廢線金屬和塑料的干式分離回收。具有生產(chǎn)量大，耗電少，分選率高，一次投料，多機(jī)協(xié)作完成(粉碎、輸送上料、吸塵和干式分離)，全自動智能控制，只需一人投料即可生產(chǎn)，以及的集塵裝置。既提高了回收銅的質(zhì)量，又可將塑料回收再利用，同時解決了環(huán)境的污染。

鋁箔磨粉分離機(jī) 320     

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升川鋁箔磨粉分離機(jī)主要用于線路板，塑料化工行業(yè)，可加工碾磨線路板、覆銅板、鋁塑藥片板、聚氯乙烯PVC、聚乙烯PE、聚苯乙烯PS、發(fā)泡PE、PVC、SBS、EVA、軟PVC、橡膠、皮革、植物纖維等其他物料。

廢金屬粉碎機(jī) 319     

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金屬破碎機(jī)(metal crusher)又叫廢金屬粉碎機(jī)、是一種粉碎廢舊金屬物料的機(jī)器，根據(jù)其破碎物料不同又可稱為廢鐵破碎機(jī)、易拉罐破碎機(jī)、廢鋼破碎機(jī)、油漆桶破碎機(jī)等。這些都是金屬破碎機(jī)通用設(shè)備。把金屬破碎機(jī)配置合格的生產(chǎn)線裝置，就是一套完美的金屬破碎機(jī)生產(chǎn)線設(shè)備。

PECVD帶尾氣處理裝置 183     

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等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應(yīng)生成含有氣態(tài)物質(zhì)的薄膜的薄膜生長技術(shù)。該系統(tǒng)由高功率射頻電源、真空系統(tǒng)、管式爐組成，配備噴淋塔、活性炭箱，滿足尾氣處理的需要。該設(shè)備是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性

CVD管式爐 350     

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該CVD管式爐適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、材料的氣氛燒結(jié)等實驗。主要用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實驗與生產(chǎn)。

1100度CVD管式爐 187     

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這款CVD管式爐廣泛用于樣品在真空和氣氛條件下的燒結(jié)、涂層、納米管研究、釬焊、退火等實驗，適用于高校、研究機(jī)構(gòu)實驗室和工礦企業(yè)進(jìn)行CVD工藝的科研和實驗。

自動壓力控制CVD管式爐 181     

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主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等工業(yè)真空燒結(jié)、保護(hù)氣氛燒結(jié)、CVD實驗、真空沉積、材料成分測定場合。

三溫區(qū)CVD管式爐 157     

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該設(shè)備適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。主要用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實驗與生產(chǎn)。

LCD觸摸屏CVD高溫爐 180     

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這款CVD爐可用于碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 240     

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適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。

PECVD旋轉(zhuǎn)管式爐 462     

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適用于粉體材料的表面薄膜沉積，在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

管式PECVD等離子氣相沉積系統(tǒng) 179     

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PECVD等離子氣相沉積設(shè)備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)主要用于金屬粉末鍍膜。

兩通道CVD系統(tǒng) 189     

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本CVD系統(tǒng)帶水冷法蘭雙路流量計并配有雙極旋片泵、水冷機(jī)、數(shù)字真空計且該CVD系統(tǒng)可抽真空、通氣氛，該設(shè)備適用于各種CVD實驗。

CVD 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 354     

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CVD 管式爐系統(tǒng)由：管式爐加熱區(qū)系統(tǒng)，質(zhì)子流量計供氣系統(tǒng)，真空系統(tǒng)和氣體定量系統(tǒng)組成。適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導(dǎo)電率測試、ZnO 納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結(jié)等實驗。

六通道PECVD設(shè)備 181     

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該pecvd設(shè)備是由管式爐真空泵和六通道質(zhì)量流量計氣體流動系統(tǒng)組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴(kuò)散。

高溫CVD系統(tǒng) 175     

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主要用于真空或氣氛燒結(jié)、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環(huán)境。適用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實驗與生產(chǎn)。

三溫區(qū)CVD系統(tǒng) 172     

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此款多溫區(qū)CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質(zhì)量流量計、低真空機(jī)組以及1200度高溫管式爐組成。該CVD化學(xué)沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。

卷對卷PECVD設(shè)備 243     

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整套體系可在真空/氣氛保護(hù)環(huán)境下工作。 收放卷機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)速從1~400mm/min可調(diào),機(jī)構(gòu)采用反饋調(diào)節(jié)，可自動糾正轉(zhuǎn)速偏差，保證樣品的速度穩(wěn)定不走樣。

PECVD系統(tǒng) 274     

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適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

1200℃PECVD系統(tǒng) 370     

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該PECVD管式爐度范圍寬；濺射區(qū)域長；整管可調(diào)；精致小巧，性價比高，可實現(xiàn)快速升降溫，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的理想選擇，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。

3通道CVD設(shè)備 374     

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此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。

雙爐體CVD設(shè)備 373     

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該雙爐體CVD系統(tǒng)為定制款，適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。

三溫區(qū)CVD設(shè)備 372     

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此款三溫區(qū)CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。

高溫化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)/cvd鍍膜 245     

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主要用于TaC、HfC等物料及其復(fù)合碳化物等超高熔點涂層化學(xué)氣相沉積制備工藝研究。