權(quán)利要求
1.用于金屬材料高通量制備系統(tǒng)的多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐,其特征在于: 所述用于金屬材料高通量制備系統(tǒng)的多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐包括爐體、冷卻部、加熱部、電磁感應(yīng)部、振動(dòng)部、處理器和承載平臺(tái); 所述爐體為呈倒錐臺(tái)形的側(cè)壁和底壁圍繞而成的頂部開口的桶形結(jié)構(gòu);所述側(cè)壁為層狀復(fù)合結(jié)構(gòu),由內(nèi)到外依次為耐熱層、減震層、絕緣層和冷卻層; 所述冷卻部包括冷卻水管路和電控閥門,至少部分所述冷卻水管路螺旋環(huán)繞設(shè)置在所述冷卻層中; 所述加熱部包括加熱臺(tái),所述爐體置于加熱臺(tái)上,所述加熱臺(tái)內(nèi)部具有電阻絲加熱器和熱電偶; 所述電磁感應(yīng)部包括電磁感應(yīng)線圈,所述電磁感應(yīng)線圈螺旋環(huán)繞設(shè)置在所述絕緣層中; 所述振動(dòng)部包括機(jī)械振動(dòng)臺(tái)和超聲振動(dòng)臺(tái);所述機(jī)械振動(dòng)臺(tái)上方設(shè)置有隔熱陶瓷,所述加熱臺(tái)設(shè)置于所述隔熱陶瓷上方;所述超聲振動(dòng)臺(tái)設(shè)置于所述機(jī)械振動(dòng)臺(tái)的下方; 所述處理器與所述電控閥門、加熱臺(tái)、機(jī)械振動(dòng)臺(tái)、超聲振動(dòng)臺(tái)和電磁感應(yīng)線圈通信連接; 所述承載平臺(tái)整體呈立方體狀,所述爐體、冷卻部、加熱部、電磁感應(yīng)部、振動(dòng)部、處理器均內(nèi)置于所述承載平臺(tái)且所述爐體的頂部開口成為所述承載平臺(tái)的開口; 所述加熱臺(tái)的上表面設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電插銷,所述導(dǎo)電插銷穿過爐體底壁并與放置于所述爐體內(nèi)的熔煉坩堝相接觸,以實(shí)現(xiàn)對(duì)熔煉坩堝進(jìn)行通電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬材料高通量制備系統(tǒng)的多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐,其特征在于,所述加熱臺(tái)、機(jī)械振動(dòng)臺(tái)和超聲振動(dòng)臺(tái)共同組成多功能臺(tái),所述多功能臺(tái)除加熱臺(tái)的上表面外的表面均被減震橡膠所包裹。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于金屬材料高通量制備系統(tǒng)的多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐,其特征在于,所述減震層的材料為減震橡膠。
4.金屬材料高通量制備系統(tǒng),其特征在于:所述金屬材料高通量制備系統(tǒng)包括權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的用于金屬材料高通量制備系統(tǒng)的多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐、氣密裝置、高通量控制平臺(tái)和主控臺(tái); 所述高通量控制平臺(tái)包括多個(gè)容置區(qū)劃,每個(gè)所述容置區(qū)劃放置一個(gè)所述用于金屬材料高通量制備系統(tǒng)的多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐; 所述氣密裝置內(nèi)設(shè)置有高能束熱源,并與所述用于金屬材料高通量制備系統(tǒng)的多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐對(duì)接以封閉所
聲明:
“多功能高能束微區(qū)冶金熔煉爐及金屬材料高通量制備系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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