本發(fā)明涉及制造太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝,尤其是冶金級(jí)多晶硅太陽(yáng)能電池磷擴(kuò)散工藝,該工藝首先進(jìn)行高溫晶界吸雜,利用高溫使雜質(zhì)原子在原沉淀處釋放,同時(shí)擴(kuò)散并移動(dòng)至晶界缺陷處沉積,在晶界附近形成潔凈區(qū);其次進(jìn)行中低溫磷沉積,在中低擴(kuò)散溫下短時(shí)間進(jìn)行淡磷擴(kuò)散沉積,完成表面低濃度磷沉積,為下步長(zhǎng)時(shí)間高溫驅(qū)入做準(zhǔn)備;然后進(jìn)行高溫深結(jié)晶界擴(kuò)散鈍化,在高溫長(zhǎng)時(shí)間磷源驅(qū)入,形成晶界處的深PN結(jié),使磷在晶界面處會(huì)產(chǎn)生磷吸雜及磷漂移場(chǎng)鈍化;最后再進(jìn)行擴(kuò)散,調(diào)整至所需要的方塊電阻值。本發(fā)明利用雜質(zhì)在多晶硅中擴(kuò)散的一些特性,可以大大降低本會(huì)發(fā)生在晶界處的少子復(fù)合,工藝完成后硅片少子壽命較正常工藝生產(chǎn)硅片的少子壽命有所提升,對(duì)最后電池性能有積極作用。