本發(fā)明屬于材料工程技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種太陽能級多晶硅的制備方法。其技術(shù)方案是為采用高純硅石和碳質(zhì)還原劑為原料,經(jīng)過礦熱爐碳熱還原、渣洗精煉、濕法除雜、定向凝固、電子束熔煉后,得到太陽能級多晶硅。該高純度的太陽能級多晶硅的B含量≤0.25ppmw、P含量≤0.43ppmw、純度≥99.9999%。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):1、生產(chǎn)工藝流程短;電耗低;環(huán)境污染小;技術(shù)方法分步驟、有目的性、選擇性、遞級性地去除硅中的雜質(zhì),產(chǎn)品純度高。2、本發(fā)明可以由硅石直接制備太陽能級多晶硅,可成功應(yīng)用于大型高壓并網(wǎng)電站。