本發(fā)明涉及半導體和太陽能硅材料技術領域，具體地說是一種低溫低成本高純碳化硅超細微粒的制備方法，選取切割廢料，通過抽真空，通入氬氣，保壓升溫，通入混合氣體，第二次保壓升溫，預處理，第三次保壓升溫，保溫抽真空，保壓降溫的手段，制備碳化硅粉體。本發(fā)明同現(xiàn)有技術相比，采用傳統(tǒng)工藝燒結制備高純碳化硅時，需要收集后進行二次煅燒和提純,尺寸不均勻、一致性較差，且成本較高。本發(fā)明為一步法實現(xiàn)全碳化的制備工藝，無需燒結后的分選、提純和二次回燒處理。本發(fā)明不需要除水過程，還可借助水合硅微粒或含水超細高純硅微粒的疏松結構優(yōu)勢，實現(xiàn)低溫碳化工藝處理，大幅提高現(xiàn)有技術制備碳化硅微粒的效率和質(zhì)量。