本發(fā)明涉及一種鉻摻雜硫鎵銀晶體實(shí)現(xiàn)多光子吸收的方法,具體通過(guò)Cr摻雜在宿主材料AgGaS2的陽(yáng)離子Ga位,以此形成的半導(dǎo)體化學(xué)分子式為AgGa1?xCrxS2,式中0.008
聲明:
“鉻摻雜硫鎵銀晶體實(shí)現(xiàn)多光子吸收的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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