本發(fā)明提供了一種先驅(qū)體加入納米Si粉制備凈SiC陶瓷的方法。所述方法包括以一定質(zhì)量比的SiC陶瓷粉，納米Si粉以及SiC陶瓷先驅(qū)體通過共混無壓燒結(jié)進行制備。傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷材料采用加壓成型燒結(jié)或熱壓燒結(jié)進行，對設(shè)備的要求較高，工藝復(fù)雜成本昂貴，且加工性能差。相比較傳統(tǒng)碳化硅陶瓷制備方法，采用先驅(qū)體作為粘結(jié)劑制備SiC陶瓷得到了廣泛的關(guān)注，此方法工藝簡單，燒結(jié)溫度低，對設(shè)備要求低，成本低廉；但是先驅(qū)體在裂解過程后得到的產(chǎn)物為非化學計量比的SiC非晶，一般情況下會有較多的裂解碳殘留，對材料的高溫性能影響較大。針對這個缺點，本方法通過在體系中加入納米Si粉與裂解碳進行反應(yīng)生成SiC，最終得到了符合化學計量比的SiC陶瓷。