本發(fā)明涉及一種采用燒結工藝制造高壓大功率晶閘管的方法，包括以下步驟：工藝環(huán)境準備、超聲波清洗、硅片漂洗、清洗石英架、石英砣、硅片鋁擴散、硅片硼擴散、氧化、一次光刻、磷擴散、割圓、燒結、蒸發(fā)、合金、二次光刻、噴砂磨角、旋轉腐蝕涂膠保護、測試封裝。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：芯片制造采用硼、鋁兩次擴散，保證PN結前沿平緩；新型燒結技術保證燒結變形小，粘接牢固，保證擴散參數(shù)穩(wěn)定不變；采用超凈工藝環(huán)境，精細清洗方法，優(yōu)質清洗試劑保證長的少子壽命；采用電腦控制擴散，機械磨角、噴角，保證產品參數(shù)一致性，使用可靠；制造成本低，成品率高，各項技術性能達到進口同類產品水平。