本發(fā)明公開了一種酸蝕內(nèi)藏臺面的硅整流圓芯片生產(chǎn)工藝，屬于大功率半導(dǎo)體芯片的技術(shù)領(lǐng)域，以解決人工磨角的控制力差異導(dǎo)致芯片的質(zhì)量參差不齊，且人工手持硅片，費(fèi)時費(fèi)力，工作效率低下等問題。該生產(chǎn)工藝包括硅片切割清洗、裝模燒結(jié)、酸洗腐蝕、涂保護(hù)膠、室溫硫化、高溫老化和檢測包裝，通過腐蝕臺面造型代替機(jī)械磨角，使磨角的角度達(dá)到最優(yōu)的45?50°，提高芯片性能，并且酸腐蝕不會在其內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力和熱損傷，不易產(chǎn)生正反兩面的崩邊、微損傷、裂痕等問題，而且省時省力，提高工作效率，其次，通過在混合酸溶液中添加含緩釋劑的熱敏微膠囊，抑制反應(yīng)速率，并在下電極鉬片表面形成鈍化層，解決了腐蝕均勻性以及鉬片腐蝕損傷的問題。