本發(fā)明公開了一種基于激光干涉技術(shù)輔助電化學(xué)技術(shù)制備納米柵極的方法,應(yīng)用于太陽能電池、微/納米光電子器件等領(lǐng)域。本發(fā)明包括如下步驟:a)在形成的p-n結(jié)襯底片表面或半導(dǎo)體襯底片表面旋涂光刻膠并烘干;b)然后經(jīng)過雙光束激光干涉技術(shù)曝光;c)經(jīng)選擇性溶液除去曝光的光刻膠,并經(jīng)電化學(xué)技術(shù)沉積金屬柵極;d)最后經(jīng)選擇性溶液移除未曝光的光刻膠,并進(jìn)行熱處理,獲得亞微米/納米金屬柵極。本發(fā)明實現(xiàn)的亞微米/納米柵極,具有大面積、高效、廉價、簡便、可在大氣環(huán)境下進(jìn)行和可控性等優(yōu)點,便于推廣和商業(yè)化。