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基于3D成型技術(shù)制備多孔SiC陶瓷的方法

1249 編輯：管理員來源：中冶有色網(wǎng)

2023-03-18 15:02:21

基于3D成型技術(shù)制備多孔SiC陶瓷的方法，本發(fā)明涉及基于3D成型技術(shù)制備多孔SiC陶瓷的方法。本發(fā)明的目的是為了解決目前選擇性激光燒結(jié)技術(shù)制備多孔SiC陶瓷時，成型件孔隙率低的問題。本發(fā)明方法為：繪制多孔SiC陶瓷的三維模型、設定SLS成型機的參數(shù)、混合SiC粉末、粘結(jié)劑粉末和造孔劑、制得陶瓷坯體、進行CIP包套然后冷等靜壓致密化處理，進行脫脂預燒結(jié)，再在有氧環(huán)境下進行燒結(jié)，即完成。操作簡便，成型速度快，原料利用率高，有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率，最終成型件的孔隙率為70％～80％，且具備一定的強度。本發(fā)明應用于多孔SiC陶瓷的制備領域。

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“基于3D成型技術(shù)制備多孔SiC陶瓷的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。

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