本發(fā)明Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法的技術(shù)方案，涉及鈷作主要成分的非晶態(tài)合金，將用100mL去離子水配制得到的摩爾濃度配比為SmCl3·6H2O∶CoCl2·6H2O∶H3BO3∶甘氨酸∶抗壞血酸＝0.5～1.8∶2～5∶5～10∶4～8∶3～7的電解沉積液放入專用的Sm-Co合金非晶磁性納米線沉積裝置的電解沉積槽中進(jìn)行納米線的沉積，再對(duì)沉積的Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列進(jìn)行退火處理，制得Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列產(chǎn)品。本發(fā)明方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中Sm-Co合金納米線即Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列沉積率低的缺陷。