本發(fā)明公開了一種可級(jí)聯(lián)的大功率碳化硅器件半橋高溫封裝結(jié)構(gòu)，陶瓷外殼內(nèi)設(shè)置有第一鍍金的金屬化芯區(qū)及第二鍍金的金屬化芯區(qū)，第一鍍金的金屬化芯區(qū)上設(shè)置有上橋臂半導(dǎo)體芯片，第二鍍金的金屬化芯區(qū)上設(shè)置有下橋臂半導(dǎo)體芯片；陶瓷外殼的端面上設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，引片結(jié)構(gòu)插入于凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，且引片結(jié)構(gòu)與陶瓷外殼之間通過密封件密封，引片結(jié)構(gòu)與上橋臂半導(dǎo)體芯片及下橋臂半導(dǎo)體芯片相連接，陶瓷外殼內(nèi)部為真空結(jié)構(gòu)或者充有惰性氣體。該結(jié)構(gòu)具有低成本、高可靠性、低寄生參數(shù)及耐高溫的特點(diǎn)。