本發(fā)明公開了一種金剛石基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括以下步驟：在金剛石層的上表面形成導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層的上表面覆蓋掩膜層；去除無(wú)源區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜層和導(dǎo)電層；分別去除源區(qū)對(duì)應(yīng)的掩膜層和漏區(qū)對(duì)應(yīng)的掩膜層；分別在所述源區(qū)和所述漏區(qū)形成源區(qū)高摻雜區(qū)和漏區(qū)高摻雜區(qū)；分別激活所述源區(qū)高摻雜區(qū)、所述漏區(qū)高摻雜區(qū)和所述導(dǎo)電層的載流子；分別在所述源區(qū)高摻雜區(qū)的上表面和所述漏區(qū)高摻雜區(qū)的上表面覆蓋第一金屬層，形成源極和漏極；在柵區(qū)對(duì)應(yīng)的掩膜層的上表面覆蓋第二金屬層，形成柵極。本發(fā)明能夠提高器件的耐擊穿特性，降低器件的歐姆接觸電阻。