本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠工藝及其用坩堝，屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。該多晶硅全熔鑄錠用坩堝包括坩堝本體和依次固定在坩堝內(nèi)底部的石英砂和第一脫膜層，所述坩堝本體內(nèi)側(cè)面涂覆第二脫膜層。第一脫膜劑和第二脫膜劑均包含氮化硅。本申請的坩堝即可以防止多晶硅的氧化，又可以防止多晶硅錠的粘鍋，坩堝底部的疏松粗糙表面提供了多種引晶方式，具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核，多種引晶并存縮短了多晶鑄錠的周期，多晶鑄錠的良率高。