本申請公開了一種多晶硅半熔鑄錠用坩堝及其噴涂工藝和應(yīng)用，屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。該多晶硅半熔鑄錠用坩堝，包括坩堝本體和噴涂在坩堝本體內(nèi)部表面的氮化硅層，所述氮化硅層的厚度為1mm?2mm。該坩堝可防止坩堝本體中的雜質(zhì)滲入多晶硅鑄錠中，并且不會在多晶硅鑄錠過程中脫落而與坩堝本體粘連；該坩堝的制備工藝簡單，坩堝表面的氮化硅層光滑；使用該坩堝制備多晶硅錠的良率高。