本發(fā)明公開了一種太陽能等級多晶硅的制備方法,采用3N級的金屬硅作為原料,在真空熔煉爐中通過造渣和定向凝固進行提純,將金屬硅提純到純度為99.9999%的太陽能級多晶硅。本發(fā)明通過真空熔煉,可將金屬硅中硼的含量從5ppm降低到0.5ppm,將磷的含量從15ppm降低到0.8ppm,金屬總量雜質(zhì)從1000ppm降低到0.1ppm以下。本發(fā)明工藝流程短,耗電量小,而且無污染排放,可以大幅度地降低多晶硅生產(chǎn)的投資成本和生產(chǎn)成本,可進行大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“太陽能等級多晶硅的制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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