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多晶硅全熔鑄錠工藝

1162 編輯：管理員來源：中冶有色網(wǎng)

2023-03-18 15:02:22

本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠工藝，屬于光伏技術領域。該工藝包括下述步驟：1)裝料階段：將硅料裝填入坩堝，轉移坩堝至鑄錠爐；2)加熱、熔化階段：關閉隔熱籠，在真空條件下加熱、熔化硅料，在熔化階段的坩堝內部達到預設溫度后調整隔熱籠的開度；3)長晶階段：調整隔熱籠的開度為全部開度的30％?70％，長晶溫度為1410?1460℃；4)液態(tài)硅長晶結束后，退火、冷卻，即制得多晶硅錠。該工藝制備的多晶硅的良率高，對晶硅少子的壽命長，多晶硅底部紅區(qū)的短；工藝周期短，生產效率高；噴涂氮化硅的坩堝不與多晶硅鑄錠粘鍋；坩堝表面的噴涂的氮化硅為疏松粗糙表面，具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核，多種引晶并存，周期短良率高。

登錄解鎖全文

聲明：

“多晶硅全熔鑄錠工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)