本發(fā)明描述一種離子植入裝置和一種制造一半導(dǎo)體裝置的方法,其中植入電離氫化硼分子簇以形成P型晶體管結(jié)構(gòu)。舉例而言,在制造互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)裝置中,植入該等簇以為源極和漏極結(jié)構(gòu)與多柵極提供P型摻雜,此等摻雜步驟對(duì)于形成PMOS晶體管而言是至關(guān)重要的。該等分子簇離子具有化學(xué)形式BnHx+和BnHx-,其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。