本發(fā)明屬無機非金屬粉體材料技術領域，具體涉及一種碳化硅晶須的生產方法。為解決目前國內外碳化硅晶須生產方法單產效率低，成本高，污染大，易團聚，品質低的問題，提供一種新型高溫氣化物理生產方法。該方法選用高純碳化硅晶體為原料，經激光氣化高溫生長爐高溫分解氣化，再經高溫合成生長，冷卻、收集，得到直徑為納米?亞微米?微米的碳化硅晶須。采用該工藝可生產出高純度，高品質α?碳化硅晶須，粒徑2nm～1.5μm，可精準控制，長徑比40～200，本方法通過控制合成溫度和合成時間量程亦可得到納米碳化硅微粉和碳化硅納米線。生產過程少廢氣，無廢水、固體廢棄物排出，并且投資少，產量高，可用于規(guī)?；I(yè)生產。