本發(fā)明涉及功能薄膜材料制備技術(shù),其采用改進(jìn)了的離子束增強(qiáng)沉積方法成膜,結(jié)合后續(xù)的結(jié)晶、退火,實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)的均勻摻入和對釩的有效替位,使薄膜的相變起始溫度降低到12-16℃附近。調(diào)節(jié)氬/氫比等成膜工藝和結(jié)晶熱處理?xiàng)l件,使多晶VO2薄膜從半導(dǎo)體相向金屬相轉(zhuǎn)變時(shí),其電阻率的變化超過2個(gè)數(shù)量級(jí)。選擇摻雜或引入應(yīng)力等制備方法、摻雜劑量、雜質(zhì)種類等制備條件,使薄膜相變向低溫適當(dāng)延展,相變滯豫足夠小,實(shí)現(xiàn)室溫附近的TCR大大提高,達(dá)10%/K以上,可滿足紅外探測和紅外成像的使用要求。獲得的沉積薄膜與襯底界面結(jié)合牢固,結(jié)構(gòu)致密,與CMOS工藝兼容。本發(fā)明原料低廉,具有成本優(yōu)勢,且在成膜過程中沒有廢液、廢氣等危害環(huán)境的物質(zhì)排放。