權(quán)利要求書： 1.一種組合物，其包含(i)包含金屬氧化物作為基質(zhì)材料的基質(zhì)，所述金屬氧化物包含至少兩種金屬M1和M2和(ii)在所述基質(zhì)中活動的金屬M3其中?M1與M2的原子比在75:25至99.99:0.01的范圍內(nèi)；?M1、M2和M3的價態(tài)都是正數(shù)；?M1的價態(tài)大于M2的價態(tài)；?M2的價態(tài)等于或大于M3的價態(tài)；且?金屬M1、M2和M3不同，其中M1選自Si和Ge，M2選自Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、La、Ac或其混合物；M3選自Ag和Cu，其中基于所述組合物的總重量計，不同于M1、M2和M3的金屬的總濃度低于100ppm。2.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中M3在所述組合物中的擴散系數(shù)與M2在所述組合物中的擴散系數(shù)的比率為至少1000:1。3.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中M1的價態(tài)為+III、+I或+。4.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中M1是Si。5.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中M2選自Al和Ga。6.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中M3是Cu。7.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其中?M2的量為所述組合物中存在的金屬總量的0.01至25原子％；和/或?M3的量為所述組合物中存在的金屬總量的0.01至10原子％。8.一種生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的組合物的方法，其包含下列步驟a)提供M1的多孔氧化物；b)用M2的液體前體浸潤M1的多孔氧化物；c)用M3的液體前體浸潤M1的多孔氧化物；由此步驟b)和c)可以同時或相繼進行；d)任選地，干燥在用M2的液體前體和M3的液體前體浸潤M1的多孔氧化物后獲得的產(chǎn)物；e)任選地，在氧化氣氛中在低于M1的氧化物的轉(zhuǎn)變溫度的溫度下煅燒在步驟d)，如果存在，或步驟c)中獲得的產(chǎn)物；f)將在步驟d)中獲得的產(chǎn)物加熱到M1的氧化物的轉(zhuǎn)變溫度以上的溫度。9.一種生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的組合物的方法，其中所述組合物通過原子層沉積(ALD)或化學(xué)氣相沉積(CD)制備。10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中通過原子層沉積(ALD)或化學(xué)氣相沉積(CD)制備的所述組合物的層厚度為1至100nm。11.通過根據(jù)權(quán)利要求8的方法獲得的產(chǎn)物作為用于物理氣相沉積(PD)法的濺射靶的用途。12.根據(jù)前述權(quán)利要求1至7任一項的組合物或在權(quán)利要求8至10任一項的方法中獲得的組合物作為阻變元件的用途。 說明書：