權(quán)利要求書： 1.一種微粗糙電解銅箔，其包含：一微粗糙面，該微粗糙面具有多個(gè)無銅瘤區(qū)和多個(gè)排列銅瘤區(qū)，一部分的無銅瘤區(qū)分布于所述多個(gè)排列銅瘤區(qū)之間；多個(gè)銅瘤，所述多個(gè)銅瘤是形成在該微粗糙面上且位于所述多個(gè)排列銅瘤區(qū)中，所述多個(gè)銅瘤不位于所述多個(gè)無銅瘤區(qū)中，且各排列銅瘤區(qū)中的所述多個(gè)銅瘤是沿著一方向排列形成在該微粗糙面上；2其中，在面積為120μm的微粗糙面中，所述多個(gè)無銅瘤區(qū)的數(shù)量為5個(gè)以上，各無銅瘤區(qū)2的面積大于或等于62500nm ，各排列銅瘤區(qū)的長(zhǎng)度為300nm至2,500nm，各排列銅瘤區(qū)中所述多個(gè)銅瘤的平均寬度為10nm至300nm，各排列銅瘤區(qū)中所述多個(gè)銅瘤的數(shù)量為3至50個(gè)。2.如權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中所述多個(gè)無銅瘤區(qū)的數(shù)量為10個(gè)至100個(gè)。3.如權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中各無銅瘤區(qū)的面積為大于或等于250nm×250nm。4.如權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中各無銅瘤區(qū)的面積為大于或等于500nm×2250nm，在面積為120μm的微粗糙面中，面積大于或等于500nm×250nm的所述多個(gè)無銅瘤區(qū)的數(shù)量為10個(gè)至50個(gè)。5.如權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中各排列銅瘤區(qū)中所述多個(gè)銅瘤的平均寬度為10nm至200nm。6.如權(quán)利要求5所述的微粗糙電解銅箔，其中各排列銅瘤區(qū)中所述多個(gè)銅瘤的數(shù)量為3至10個(gè)。7.如權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Rlr值為1.05至1.60。8.如權(quán)利要求7所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Sdr為0.01至0.08。9.如權(quán)利要求7所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Rlr值為1.10至1.30，該微粗糙面的Sdr為0.010至0.023。10.如權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Sdr為0.01至0.08。11.一種銅箔基板，其包含如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的微粗糙電解銅箔及一基材，該基材與微粗糙電解銅箔壓合。12.如權(quán)利要求11所述的銅箔基板，其中該銅箔基板于4GHz的介入損失為?0.26dB/in至?0.32dB/in。13.如權(quán)利要求11所述的銅箔基板，其中該銅箔基板于8GHz的介入損失為?0.41dB/in至?0.51dB/in。14.如權(quán)利要求11所述的銅箔基板，其中該銅箔基