本發(fā)明涉及制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法，包括：在礦熱爐出硅過(guò)程中，向抬包底部持續(xù)通入氧化性氣體；出硅完成后，將預(yù)熔造渣劑倒入抬包中精煉；將氧化性氣體采用等離子發(fā)生器電離后注入硅液中；待反應(yīng)完后，將得到的硅液注入保溫裝置中凝固，待硅錠冷卻后，打磨硅錠四周及底面潔凈；將硅錠破碎、磨粉，采用混合酸進(jìn)行酸洗，清洗，烘干；將酸洗后硅粉放入中頻爐石墨坩堝中加熱熔化成硅液，保溫；于硅液的表面放置石墨板，石墨板與直流電壓的負(fù)極相接，石墨坩堝底部與直流電壓的正極相接，施加直流電壓；通電2～4h后，在通電狀態(tài)下，石墨坩堝緩慢下降，離開(kāi)加熱區(qū)，進(jìn)行定向凝固，冷卻后取出硅錠，切除上層和尾部的雜質(zhì)區(qū)，即得提純后6N多晶硅。