本發(fā)明公開了一種電子束過熱熔煉去除多晶硅中金屬雜質(zhì)的方法和裝置，屬于冶金領(lǐng)域。所述裝置包括水冷熔煉坩堝，所述水冷銅坩堝采用傾斜式側(cè)壁設(shè)計，所述水冷銅坩堝內(nèi)側(cè)壁與水冷銅坩堝底夾角為105～120°，所述水冷銅坩堝內(nèi)設(shè)有石墨襯套，所述石墨襯套外表面與水冷銅坩堝內(nèi)表面貼合，緊配合設(shè)計，石墨襯套的底部與水冷銅坩堝底部水平，所述石墨襯套內(nèi)表面?zhèn)缺谂c石墨襯套底夾角為95～100°。在本發(fā)明裝置中進行過熱熔煉去除金屬雜質(zhì)，可減少后續(xù)定向凝固以及鑄錠的次數(shù)，減少提純工藝，降低生產(chǎn)成本；多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低后期定向凝固次數(shù)1次以上；多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低多晶硅中金屬雜質(zhì)30％以上。