一種高純鋁單層晶體凝固提純方法屬于鑄造冶金領(lǐng)域。本發(fā)明在偏析法提純純鋁或其他輕金屬時(shí),利用真空下的熔煉和保溫,以及純金屬凝固時(shí)的結(jié)晶特點(diǎn),在扁平結(jié)晶平臺中,通過調(diào)整結(jié)晶槽中的鋁液厚度、生長速度以及固液界面前沿的溫度梯度,控制晶體生長為單層平行排列的胞狀晶體,將溶質(zhì)元素的三維復(fù)雜分布轉(zhuǎn)化為近二維分布,有效控制雜質(zhì)元素的排出。本發(fā)明降低了提純過程中氧原子的侵入,有利于控制界面以平面推進(jìn),提高雜質(zhì)元素的排除效率。在垂直生長方向上,并排的單個(gè)胞晶體純度均勻,在生長方向上,雜質(zhì)元素濃度分布更接近理論的情況,雜質(zhì)元素大多富集于尾部,成型的鋁錠為板狀,可采用軋機(jī)刀具切斷,減少了污染,提高了生產(chǎn)效率。