本發(fā)明涉及冶金學(xué)領(lǐng)域,特別是由富含Si28的無(wú)機(jī)化合物,主要是四氟化硅來(lái)生產(chǎn)單同位素硅的方法。本方法包括將四氟化硅在高溫下還原,特征在于通過(guò)在180-200℃的溫度下將四氟化硅用氫化鈣還原的方法來(lái)制備硅烷,然后將得到的硅烷在800-900℃的溫度下進(jìn)行高溫分解處理,且單同位素硅沉積到基體上的速度不超過(guò)0.5mm/小時(shí)。單同位素硅的沉積速度主要通過(guò)改變硅烷的供應(yīng)速度來(lái)調(diào)節(jié)。沉積過(guò)程在一個(gè)預(yù)先得到的單同位素硅基體上進(jìn)行,或者分兩個(gè)階段進(jìn)行,第一階段是在一個(gè)難熔基體上,例如一個(gè)熔點(diǎn)高于硅沉積溫度的金屬基體進(jìn)行沉積,然后,將得到的單同位素硅棒與基體脫離,繼續(xù)在第一階段得到的單同位素硅棒上進(jìn)行沉積操作。