本發(fā)明公開了一種窄溫區(qū)控溫Ni?Ti形狀記憶合金的制備方法,包括以下步驟:(1)對未經(jīng)處理的Ni?Ti形狀記憶合金進(jìn)行脈沖電流退火熱處理:脈沖電流強(qiáng)度I為900A~1300A,退火時(shí)間t為30min~60min;退火溫度T為450℃~900℃;(2)對經(jīng)脈沖電流熱處理的Ni?Ti形狀記憶合金進(jìn)行液氮淬火處理,得到窄溫區(qū)控溫Ni?Ti形狀記憶合金。本發(fā)明還公開了窄溫區(qū)控溫Ni?Ti形狀記憶合金及其應(yīng)用。本發(fā)明能確實(shí)有效地促進(jìn)Ni4Ti3析出相的析出,有效制備窄溫區(qū)控溫的形狀記憶合金,大大縮短熱處理所用的時(shí)間,具有節(jié)能環(huán)保的效果。
聲明:
“窄溫區(qū)控溫Ni?Ti形狀記憶合金及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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