本發(fā)明公開了一種用于HVPE反應(yīng)爐的限域生長環(huán)及氮化物晶體生長方法。本發(fā)明采用鎢、釕和鉬中的一種，或者采用鎢、釕和鉬中的一種的碳化物或氮化物的限域生長環(huán)，經(jīng)過清洗、退火和激活使限域生長環(huán)的功能面具備化學(xué)活性；將限域生長環(huán)置于反應(yīng)爐生長區(qū)中，生長過程中限域生長環(huán)對晶體側(cè)向生長進(jìn)行限制，從而阻止晶體的邊緣生長，遏制生長過程中產(chǎn)生邊緣效應(yīng)，減少生長過程中產(chǎn)生的應(yīng)力，最終實(shí)現(xiàn)厘米級GaN體晶生長；本發(fā)明實(shí)現(xiàn)方法簡單，根據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)水平能夠容易實(shí)現(xiàn)，并大量推廣；限域生長環(huán)能夠經(jīng)過熱清洗后重復(fù)使用，節(jié)約了限域生長環(huán)的制作成本，經(jīng)濟(jì)實(shí)用；限域生長環(huán)能夠根據(jù)不同HVPE反應(yīng)爐生長區(qū)的不同結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，通用性強(qiáng)。