真空感應熔煉去除硅中磷雜質(zhì)的方法，涉及一種硅提純方法。提供一種真空感應熔煉去 除硅中磷雜質(zhì)的方法。將多晶硅放入坩堝中，抽真空，預熱后關(guān)閉粗抽閥，開啟擴散泵閥門 抽真空，接通中頻感應加熱電源，坩堝開始感應生熱，對坩堝內(nèi)的硅原料進行低溫預熱，當 溫度上升到600℃時，硅自身感應生熱；增加中頻加熱功率為50～200kW，當溫度達到1415℃ 以上時，硅開始熔化；熔化后，調(diào)節(jié)中頻加熱功率，使硅液溫度控制在1550～1850℃；待溫 度穩(wěn)定后，將真空度控制在1.2×10-2～1.0×10-1Pa；開始計時，保溫時間為45～120min；在 水冷銅盤中通入循環(huán)水，然后將熔煉完成的硅液澆注入模具中，快速凝固，即完成。