權(quán)利要求 1.低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒?，其特征在于，采用低溫液態(tài)合金連接隔離狀態(tài)的陽極工作區(qū)和陰極工作區(qū)，含鈹原料進入陽極工作區(qū)，在低溫下經(jīng)電場電解作用，含鈹原料被還原成金屬鈹并溶解進入低溫液態(tài)合金，同時低溫液態(tài)合金中的鈹在陰極工作區(qū)被氧化成鈹離子，后于陰極得電子還原沉積出固態(tài)金屬鈹。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒?，其特征在于，包括以下步驟： (1)將電解槽分為陽極工作區(qū)和陰極工作區(qū)，陽極工作區(qū)和陰極工作區(qū)內(nèi)均盛有電解質(zhì)，電解槽底部還盛有低溫液態(tài)合金；所述陽極工作區(qū)和陰極工作區(qū)的電解質(zhì)互不接觸而通過電解槽底部的低溫液態(tài)合金相連接； (2)向陽極工作區(qū)中加入含鈹原料，然后在陽極工作區(qū)和陰極工作區(qū)分別插入陽極和陰極，低溫下通電，含鈹原料在陽極工作區(qū)電解質(zhì)與低溫液態(tài)合金界面處被還原成金屬鈹并溶解進入低溫液態(tài)合金，同時，低溫液態(tài)合金中的鈹在低溫液態(tài)合金與陰極工作區(qū)電解質(zhì)界面處被氧化成鈹離子進入陰極電解質(zhì)，并在陰極表面被還原成金屬鈹。  3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒ǎ涮卣髟谟?，所述的低溫?00℃。  4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒?，其特征在于，所述低溫液態(tài)合金含53-85at.％金、0-38at.％鈹、0-20at.％硅，可含有銅、銀、錳中一種或以上，其在＜600℃下為液態(tài)；所述含鈹原料為氧化鈹、氟化鈹、氯化鈹中至少一種，含鈹原料的純度≥50％。  5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒ǎ涮卣髟谟?，?yōu)選的，所述低溫液態(tài)合金中含54-81at.％金、0.1-38at.％鈹、6-18at.％硅。  6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒ǎ涮卣髟谟?，電解過程控制方式為控制電流、控制電壓的一種或以上；控制電流時，電流密度為0.01-1.0A/cm 2，控制電壓時，陰極電壓為≤-2.5V(vs NHE)。  7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒?，其特征在于，所述陽極工作區(qū)和陰極工作區(qū)的電解質(zhì)由熔鹽電解質(zhì)和輔助劑組成，輔助劑添加量≤10at.％。  8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低溫熔鹽電解制備金屬鈹?shù)姆椒?，其特征在于，?