本發(fā)明公開(kāi)了一種50A大電流快恢復(fù)二極管的制作方法，包括：提供N型半導(dǎo)體硅材料作為半導(dǎo)體襯底；在N型半導(dǎo)體襯底上摻雜N+型雜質(zhì)；去除半導(dǎo)體襯底一面的N+型雜質(zhì)層；在暴露出的N-型半導(dǎo)體材料上再雙雜質(zhì)摻雜P+型雜質(zhì)；再采用高溫?cái)U(kuò)散的方法進(jìn)行重金屬鉑摻雜；進(jìn)行第一次掩膜光刻；在鈍化槽中刮涂玻璃粉，高溫?zé)Y(jié)成型，完成PN結(jié)玻璃鈍化；采用真空濺射法，在硅片兩面制作多層金屬化層；進(jìn)行第二次掩膜光刻；將硅片分割成獨(dú)立的管芯；將芯片與引線組件冶金鍵合在一起；采用燒結(jié)的方法將芯片、引線組件與管座冶金鍵合在一起；采用儲(chǔ)能焊，將管帽與底座封焊成型。本發(fā)明受環(huán)境影響小，工藝成熟、穩(wěn)定、重復(fù)性好，可廣泛用于大電流恢復(fù)二極管的大批量生產(chǎn)。