本發(fā)明公開(kāi)了芯片或芯片封裝的結(jié)構(gòu)，具有機(jī)械 上去耦但電耦合到芯片上的多層互連的最終鈍化層和端子冶 金。這種去耦使芯片可以經(jīng)受得住在最終鈍化區(qū)中的封裝應(yīng) 力，應(yīng)變從其中的去耦區(qū)和柔順的引線消除，因此芯片上的互 連層面不會(huì)感受到外部的封裝或其它的應(yīng)力。這種結(jié)構(gòu)特別適 合于由Cu和低－k的電介質(zhì)構(gòu)成的芯片上互連，該低－k的電 介質(zhì)相對(duì)于SiO2具有更差的機(jī) 械特性。去耦區(qū)在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸進(jìn) 封邊或者切割溝槽區(qū)以允許芯片切割和在晶片 上的每個(gè)芯片周?chē)@種機(jī)械去耦特性的保持。