本發(fā)明公開了一種低電阻率銅銦鎵硒四元合金濺射靶材及其制備方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相, 所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相總和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占總物相的1～5％。本發(fā)明的濺射靶材的制備方法包括：粉末制備，粉末混合，粉末冶金燒結等工序，所述粉末制備包括CuIn0.7Ga0.3Se2單相合金粉末的制備，所述CuIn0.7Ga0.3Se2單相合金粉末通過真空反應合成的方法制備，真空度≥10-1Pa，反應溫度在500～700℃，升溫速率不大于5℃/min。本發(fā)明的濺射靶，電阻率低，致密度高，晶粒尺寸細小均勻，能夠進行中頻或直流濺射，可大大提高銅銦鎵硒薄膜的濺射速度，同時節(jié)約設備投入成本。