本發(fā)明涉及一種單晶硅太陽(yáng)能電池片的干法刻蝕工藝。其特點(diǎn)是，包括如下步驟：（1）將裝好硅片的夾具放入等離子體刻蝕機(jī)腔體，硅片數(shù)量200～1000片；（2）抽真空；（3）通入反應(yīng)氣體CF4和O2，控制CF4流量在190-210sccm，O2流量25-35sccm，直至工作壓力達(dá)到200-220psig；（4）輝光放電，氣體反應(yīng)；（5）再次抽真空，然后恢復(fù)常壓；（6）打開(kāi)腔體門(mén)，取出夾具，卸片即可。本發(fā)明提供了一種物理冶金法單晶硅太陽(yáng)能電池片的干法刻蝕工藝，適用于125×125mm物理冶金法單晶硅太陽(yáng)能電池，采用該工藝可以去除擴(kuò)散后硅片邊緣的短路環(huán)，使刻蝕后的硅片符合工藝要求，杜絕過(guò)刻或刻不透。