本發(fā)明涉及一種高硅含量的鋁基梯度電子封裝復(fù)合材料的制備方法，屬于鋁基粉末材料熱成形工藝。本發(fā)明解決了現(xiàn)有Al?Si電子封裝材料制備方法，無法實現(xiàn)封裝料梯度結(jié)構(gòu)設(shè)計及近凈成形的不足。本發(fā)明通過粉末冶金結(jié)合多次裝料冷壓、分步熱壓等工藝制備的梯度結(jié)構(gòu)電子封裝材料，具有成分梯度可以調(diào)控、成本低廉且具備精密成形的優(yōu)點，可以在保障良好性能的同時大幅度降低后續(xù)的機加工變形量。本發(fā)明適用于Si質(zhì)量含量從20％～75％的梯度鋁基電子封裝材料的制備，以及高性能電子封裝料坯材以及半成品的制備。