本發(fā)明屬于粉末冶金材料制備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種含硅合金靶材及其制備方法。其靶材成分中硅含量為0<Si(at％)≤80％。本發(fā)明采用純度為99.5％～99.95％的鉻粉與純度為99.9％～99.999％的純硅粉機械合金化混合，或采用鉻粉與CrSi合金粉末混合制備合金粉末，將合金粉末冷等靜壓后裝填入包套內(nèi)，經(jīng)在加熱狀態(tài)下抽真空脫氣并封焊之后進行熱等靜壓處理、機加工等工序，獲得致密度高、顯微組織均勻的CrSi靶材。本發(fā)明制備的CrSi靶材，可用于電子、半導(dǎo)體、集成電路、防腐蝕、高耐磨性等鍍膜領(lǐng)域，制備具有低TCR高穩(wěn)定性、高方阻的電阻薄膜，以及具有良好耐腐蝕性能、高硬度及良好耐磨性能的涂層。