在第一方面中,一種方法包括淀積第一含金屬層(16)到溝槽結(jié)構(gòu)中,該第一含金屬層(16)接觸半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的金屬化區(qū)域(12)。該方法進一步包括在抗蝕劑中對第一含金屬層(16)圖案化至少一個開口。該開口應(yīng)該和溝槽結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)。在至少一個開口內(nèi)至少形成襯墊含金屬層(20)(優(yōu)選地通過電鍍處理)。隨后蝕刻該抗蝕劑(18)和抗蝕劑(18)下面的第一金屬層(16)(在實施例中,以第二金屬層(20)作為掩模)。該方法包括在蝕刻處理之后將焊料材料(22)流到溝槽中和流到襯墊含金屬層(20)上。該結(jié)構(gòu)是受控熔塌芯片連接(C4)結(jié)構(gòu),其包括在抗蝕劑圖案中形成的至少一個電鍍金屬層以形成至少一個球限制冶金層。該結(jié)構(gòu)進一步包括沒有底切的下金屬層。