本發(fā)明具體涉及一種氣相二氧化硅的合成工藝,步驟如下:1)原料的制備:將含無機硅和/或無機硅化合物的廢料制成膏狀固態(tài),加入冶金助劑捏合造粒,烘干成原料顆粒備用;2)納米二氧化硅的制備:根據(jù)上述原料顆粒含硅成分的組成相應調整生產裝置的能量輸入和氣氛條件,通過兩段反應區(qū),原料顆粒在高溫空氣等離子體下反應,形成氣相二氧化硅,載氣中形成的二氧化硅氣溶膠離開反應區(qū)后快速急劇冷卻,使氣溶膠成核凝聚成納米級二氧化硅;3)成核的納米級二氧化硅隨載氣進入多級旋風分離器和金屬網(wǎng)過濾器,分離分類成不同等級的產品;4)反應區(qū)中未帶出的其他物質形成液態(tài)熔渣排出另行利用。
聲明:
“氣相二氧化硅的合成工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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