一種制備高比表面積SiC納米微球的方法，將碳微球與二氧化硅微球混合均勻，得到混合粉末；其中碳微球粒徑為200～400nm，與二氧化硅微球的粒徑為100～200nm；將混合粉末放入真空燒結(jié)爐中，將真空燒結(jié)爐抽真空后通入氬氣，并在氬氣保護(hù)下自室溫升溫至1200℃時將真空燒結(jié)爐抽真空，然后繼續(xù)升溫至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下燒結(jié)，得到產(chǎn)物；將產(chǎn)物在400-600℃下煅燒，得到高比表面積SiC納米微球。本發(fā)明操作簡單，成本低廉，可重復(fù)性好，有利于工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明所制得的SiC納米微球的粒度均勻，純度高，直徑在200～500nm范圍內(nèi)可控，比表面積可以達(dá)到25～60m2/g。