本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。一種嵌埋式陶瓷基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟一，正面金屬層以及背面金屬層預(yù)處理；所述正面金屬層包括至少兩層金屬片，至少兩層金屬片包括靠近瓷片的第一金屬片，至少兩層金屬片中除了第一金屬片的其余的金屬片開設(shè)有至少一個(gè)上下貫穿的貫穿孔；步驟二，將正面金屬層、瓷片以及背面金屬層三者進(jìn)行真空燒結(jié)。所述貫穿孔用于內(nèi)嵌芯片。本專利通過在正面金屬層上開設(shè)有貫穿孔，便于實(shí)現(xiàn)了對芯片的限位固定效果。相應(yīng)的減薄了后期封裝件的厚度。此外，可以實(shí)現(xiàn)芯片的熱量從周向向外以及向下區(qū)域的金屬層散熱，大大的提高的散熱范圍。