本申請涉及一種高純深紫外鍍膜用HfO2材料的燒結(jié)提純工藝，該工藝包括：提供HfO2原料、Hf粉原料、分散劑和添加劑，并混合均勻得到粘稠狀混合物，各組分的比例為80?90:0?20:1?10:1?10；干燥；過篩；制成坯料；脫脂并干燥；進行真空燒結(jié)，升溫至1900?2400℃并保溫200?300min，然后自然冷卻到室溫，在原料中添加Hf，保證材料中的Hf和Zr都處于亞氧化的狀態(tài)，將燒結(jié)溫度提高到ZrO2?x相熔點以上且低于HfO2?x相的熔點，在該溫度下HfO2?x相依然為固體，液化的Zr元素逐漸流出材料，富集在材料表面，并逐漸揮發(fā)，以實現(xiàn)Zr/Hf分離；同時高溫燒結(jié)后的HfO2結(jié)構(gòu)更致密，更利于材料排出雜質(zhì)，提純得到的HfO2材料中的Zr含量小于0.1％，明顯提高HfO2材料的深紫外光學性能和抗激光損傷性能。