本發(fā)明涉及一種氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法，其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步驟：1)改性溶液制備：將粒徑為20～20000nm的α?氮化硅粉末與分散劑加入至溶劑中攪拌均勻，得到α?氮化硅粉末含量為0.003～0.02g/mL的改性溶液；2)改性瓷片制備：將步驟1)中的改性溶液均勻涂覆在氮化硅瓷片上并在80～220℃條件下烘干。根據(jù)上述方法改性后的氮化硅瓷片可直接用于覆銅陶瓷基板的活性釬焊，提高了氮化硅瓷片釬焊時反應活性，進行真空燒結(jié)時，能夠在瓷片與金屬焊片界面層形成更致密的結(jié)構，能夠提高產(chǎn)品的剝離強度。此外，未反應的α?氮化硅粉末能夠嵌入近瓷界面層中，降低界面層的熱膨脹系數(shù)，可提高瓷片與界面層在冷熱沖擊條件下的結(jié)合可靠性。