一種電子束蒸發(fā)技術(shù)制備碳化硼薄膜的方法，將碳化硼膜料放到電子束蒸發(fā)設(shè)備的坩堝中，將清洗、干燥后的基片放到電子束蒸發(fā)設(shè)備的加熱電爐上，使基片位于坩堝正上方20cm～30cm處；在真空條件進(jìn)行鍍膜，鍍膜真空度不小于6.0×10－3Pa，基片溫度控制在室溫～450℃，調(diào)節(jié)電子束使其聚焦到膜料上的斑點(diǎn)最小，控制束流值在100mA～180mA，沉積時(shí)間為5min～120min。此種方法既可制備非晶態(tài)碳化硼薄膜，又可制備多晶結(jié)構(gòu)的碳化硼薄膜，還可制備各種不同B、C成分配比的碳化硼薄膜，而且所制備的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均勻性良好。