本發(fā)明屬于脈沖功率半導體器件領(lǐng)域，更具體地，涉及一種快速離化器件及其制備方法。該快速離化器件包括依次相鄰設置的金屬化陰極、高摻雜n+區(qū)、陰極側(cè)高摻雜p+短路點、p基區(qū)、n?基區(qū)、n型促離化層、陽極側(cè)高摻雜n+短路點、高摻雜p+區(qū)、金屬化陽極。本發(fā)明通過在FID器件結(jié)構(gòu)中引入較n?基區(qū)更高的摻雜濃度的n型促離化層，通過限制n?基區(qū)空間電荷區(qū)的擴展，進而限制了碰撞電離前沿需要穿越的區(qū)域?qū)挾?，減小了碰撞電離前沿穿越的范圍，減少了碰撞電離前沿傳播的時間，從而提高了器件的開通速度。