本發(fā)明公開了一種碳化硅MOSFET芯片雙向開關功率模塊及其制備方法，銅底板上橫向設置有多塊DBC，多塊DBC構成9個雙向開關，DBC的功率回路通過功率端子引出，DBC上疊加設置有第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板通過引線鍵合的方式引出驅動端子，9個雙向開關連接構成矩陣變換器的拓撲結構；本發(fā)明碳化硅MOSFET芯片雙向開關功率模塊具有體積小，寄生電感小，功率密度大的優(yōu)點。