本發(fā)明公開了一種半導體脈沖功率開關及其制備方法。開關由晶閘管單元p+npn+和晶體管單元n+npn+相間排列而成，陽、陰極側均設有Al電極；其陰極側的n+發(fā)射極的摻雜濃度為1×1020～1×1022cm－3，結深為15～25μm，晶體管單元n+npn+內(nèi)的位于開關的陽極側的n+發(fā)射極的摻雜濃度為1×1020～1×1022cm－3，結深為15～25μm，晶閘管單元p+npn+的p+發(fā)射極摻雜濃度為8×1017～5×1018cm－3，結深為1～5μm。本發(fā)明采用的可減小開通電壓的薄發(fā)射極RSD結構，包括減薄p+發(fā)射區(qū)寬度和降低p+發(fā)射區(qū)摻雜濃度兩方面。本發(fā)明在n型Si襯底上進行Al燒結，形成RSD薄發(fā)射極的陽極結構。與現(xiàn)有薄發(fā)射極形成工藝相比，本發(fā)明保證了薄發(fā)射極不在后續(xù)工藝中被破壞，并且降低了對設備的要求，節(jié)省了工序，并且不會引起RSD陰極面反型。