一種倒扣封裝肖特基二極管凸點(diǎn)的制作工藝,按下述工藝步驟制作:a、復(fù)合模版的設(shè)計(jì)及制作;b、凸點(diǎn)漏?。籧、凸點(diǎn)燒結(jié)及表面清洗。本發(fā)明在絲網(wǎng)印刷技術(shù)工藝的基礎(chǔ)上,用復(fù)合模版漏印技術(shù),用芯片上的凸點(diǎn)代替?zhèn)鹘y(tǒng)封裝的引出腳,能夠在間距低至0.1mm,凸點(diǎn)區(qū)域0.2mm的裸片上做出均勻一致的凸點(diǎn),其排列密度很大,在Φ100圓片上,凸點(diǎn)數(shù)量都大于10000個(gè),從而實(shí)現(xiàn)了用復(fù)合模版漏印技術(shù)制作肖特基二極管凸點(diǎn)。本工藝滿足了凸點(diǎn)設(shè)計(jì)的技術(shù)要求,凸點(diǎn)成形規(guī)則、大小一致、光潔度好,使產(chǎn)品的體積極大的縮小,便于高端電子產(chǎn)品小型化。同時(shí)由于互連線長(zhǎng)度極大縮短,使肖特基二極管正向勢(shì)壘降低,實(shí)現(xiàn)組件高速化。
聲明:
“倒扣封裝肖特基二極管凸點(diǎn)的制作工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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